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PBSS5240T.215
0.076
PBSS5240T.215 数据手册 (9 页)
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PBSS5240T.215 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
200 MHz
功耗
380 mW

PBSS5240T.215 数据手册

Nexperia(安世)
9 页 / 0.28 MByte

PBSS5240 数据手册

Nexperia(安世)
低饱和电压 PNP 晶体管,Nexperia一系列 NXP BISS(小信号的重大突破)低饱和电压 PNP 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量,采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失,可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。### 双极晶体管,Nexperia
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS5240T,215  单晶体管 双极, PNP, -40 V, 200 MHz, 300 mW, -2 A, 450 hFE
NXP(恩智浦)
NXP  PBSS5240T  单晶体管 双极, PNP, 40 V, 200 MHz, 300 mW, 2 A, 450 hFE
Nexperia(安世)
Nexperia(安世)
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) TRANS BISS TAPE-7
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