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PMDXB600UNE
0.128
PMDXB600UNE 数据手册 (15 页)
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PMDXB600UNE 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
封装
XFDFN-6
针脚数
6 Position
漏源极电阻
0.47 Ω
功耗
265 mW
阈值电压
700 mV
漏源极电压(Vds)
20 V
输入电容值(Ciss)
21.3pF @10V(Vds)
额定功率(Max)
265 mW
工作温度(Max)
150 ℃

PMDXB600UNE 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)

PMDXB600UNE 数据手册

NXP(恩智浦)
15 页 / 0.24 MByte

PMDXB600 数据手册

Nexperia(安世)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 600 mA, 20 V, 0.47 ohm, 4.5 V, 700 mV
Nexperia(安世)
双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 600 mA, 20 V, 0.47 ohm, 4.5 V, 700 mV
NXP(恩智浦)
NXP  PMDXB600UNE  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 600 mA, 20 V, 0.47 ohm, 4.5 V, 700 mV
NXP(恩智浦)
PMDXB600UNE 系列 20 V 620 mOhm 双通道 N 沟道 Trench Mosfet - DFN1010B-6
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
NXP(恩智浦)
Nexperia(安世)
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