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Datasheet 搜索 > 电压基准芯片 > TI(德州仪器) > REF5045IDGKT Datasheet 文档
REF5045IDGKT
器件3D模型
13.379
REF5045IDGKT 数据手册 (152 页)
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REF5045IDGKT 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
容差
±0.05 %
封装
VSSOP-8
输出电压
4.5 V
输出电流
10 mA
供电电流
1.2 mA
通道数
1 Channel
静态电流
800 µA
输入电压(Max)
18 V
输出电压(Max)
4.5 V
输出电压(Min)
4.5 V
输出电流(Max)
10 mA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
精度
0.05 %
输入电压
4.7V ~ 18V

REF5045IDGKT 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
3.1 mm
宽度
3.1 mm
高度
0.95 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃
温度系数
±3 ppm/℃

REF5045IDGKT 数据手册

TI(德州仪器)
152 页 / 5.85 MByte
TI(德州仪器)
20 页 / 0.55 MByte

REF5045 数据手册

TI(德州仪器)
低噪声、极低漂移、高精度电压基准
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移精密 Low-Noise, Very Low Drift Precision
TI(德州仪器)
Texas Instruments精密固定和可调电压参考 IC 利用串联、并联或串联/并联拓扑,并提供通孔和表面安装封装。 电压参考的初始准确度为 ±0.02 至 ±2%。
TI(德州仪器)
低噪声,极低漂移,高精度电压基准 Low-Noise, Very Low Drift, Precision VOLTAGE REFERENCE
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  REF5045AIDG4  电压参考, 高精准, 低噪, 系列 - 固定, REF5045系列, 4.5V, SOIC-8
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