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Datasheet 搜索 > MOS管 > ROHM Semiconductor(罗姆半导体) > RTU002P02 Datasheet 文档
RTU002P02
0.317

RTU002P02 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
封装
SOT-323
极性
P-CH
漏源极电压(Vds)
20 V
连续漏极电流(Ids)
0.25A

RTU002P02 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
3 页 / 0.05 MByte
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
3 页 / 0.06 MByte

RTU002 数据手册

ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
20V,0.25A,P沟道MOSFET
ROHM Semiconductor(罗姆半导体)
RTU002P02 P沟道MOS场效应管 -20V 250mA 1.0ohm SOT-323 marking/标记 TW 低导通电阻 低电压驱动
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