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SI2307CDS-T1-GE3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

VISHAY SI2307CDS-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -3.5 A, -30 V, 73 mohm, -10 V, -1 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI2307CDS-T1-GE3 数据手册 (10 页)

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SI2307CDS-T1-GE3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.073 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.1 W

漏源极电压(Vds)

-30.0 V

连续漏极电流(Ids)

-2.70 A

上升时间

40 ns

下降时间

17 ns

工作温度(Max)

150 ℃

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SI2307CDS-T1-GE3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

2.9 mm

宽度

1.6 mm

高度

1.45 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

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SI2307CDS-T1-GE3 符合标准

SI2307CDS-T1-GE3 海关信息

SI2307CDS-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

10 页 / 0.2 MByte

SI2307CDS-T1-GE3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

9 页 / 0.2 MByte

SI2307CDS-T1-GE3 产品修订记录

Vishay Semiconductor（威世）

2 页 / 0.09 MByte

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