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SI2323DS-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-3

描述:

P通道20 -V （D -S ）的MOSFET P-Channel 20-V (D-S) MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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SI2323DS-T1-E3 数据手册 (9 页)

封装尺寸在6 页 7 页

SI2323DS-T1-E3 数据手册 (9 页)

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SI2323DS-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

SOT-23-3

额定功率

1.25 W

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.039 Ω

极性

P-Channel

功耗

1.25 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

20 V

漏源击穿电压

-20.0 V

连续漏极电流(Ids)

-4.70 A

上升时间

43 ns

正向电压(Max)

1.2 V

输入电容值(Ciss)

1020pF @10V(Vds)

额定功率(Max)

750 mW

下降时间

48 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

工作结温

-55℃ ~ 150℃

耗散功率(Max)

1250 mW

查看数据手册 >

SI2323DS-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

最小包装数量

3000

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SI2323DS-T1-E3 符合标准

SI2323DS-T1-E3 概述

SI2323DS-T1-E3 数据手册

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9 页 / 0.18 MByte

SI2323DS-T1-E3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

9 页 / 0.18 MByte

SI2323DS-T1-E3 产品修订记录

VISHAY（威世）

2 页 / 0.09 MByte

SI2323DS-T1-E3 产品手册

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6 页 / 0.09 MByte

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