器件3D模型

￥ 0.407

SI4465ADY-T1-E3 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

MOS管

封装:

SOIC-8

描述:

VISHAY SI4465ADY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, 13.7 A, -8 V, 0.0075 ohm, -4.5 V, -0.45 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SI4465ADY-T1-E3 数据手册 (10 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SI4465ADY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

8 Pin

封装

SOIC-8

针脚数

8 Position

漏源极电阻

0.0075 Ω

极性

P-Channel

功耗

3 W

漏源极电压(Vds)

-8.00 V

连续漏极电流(Ids)

-13.7 A

上升时间

170 ns

下降时间

112 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

3000 mW

查看数据手册 >

SI4465ADY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.9 mm

宽度

3.9 mm

高度

1.5 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

SI4465ADY-T1-E3 符合标准

SI4465ADY-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

10 页 / 0.16 MByte

SI4465ADY-T1-E3 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

10 页 / 0.23 MByte

SI4465ADY-T1-E3 产品设计图

Vishay Semiconductor（威世）

1 页 / 0.05 MByte

SI4465ADYT1 数据手册

SI4465ADY-T1-E3 数据手册

VISHAY（威世）

晶体管, MOSFET, P沟道, 13.7 A, -8 V, 0.0075 ohm, -4.5 V, -450 mV

SI4465ADY-T1-GE3 数据手册

VISHAY（威世）

SI4465ADY-T1-GE3 编带

SI4465ADY-T1-E3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI4465ADY-T1-E3 晶体管, MOSFET, P沟道, 13.7 A, -8 V, 0.0075 ohm, -4.5 V, -0.45 V

SI4465ADY-T1-E3 数据手册

Vishay Siliconix

SI4465ADY-T1-GE3 数据手册

Vishay Siliconix

SI4465ADY-T1-GE3 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY SI4465ADY-T1-GE3 场效应管, MOSFET, P沟道, -8V, 13.7A, SOIC

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号