SI4465DY-T1-E3

器件3D模型

￥ 0

SI4465DY-T1-E3 数据手册 - VISHAY（威世）

制造商:

VISHAY（威世）

分类:

MOS管

封装:

SO

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

SI4465DY-T1-E3 数据手册 (5 页)

或点击图片查看大图

SI4465DY-T1-E3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

SO

漏源极电阻

9.00 mΩ

极性

P-Channel

功耗

2.50 W

栅源击穿电压

±8.00 V

SI4465DY-T1-E3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

包装方式

Tape & Reel (TR)

SI4465DY-T1-E3 符合标准

SI4465DY-T1-E3 数据手册

SI4465DY-T1-E3 其他数据使用手册

VISHAY（威世）

5 页 / 0.07 MByte

SI4465DYT1 数据手册

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