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器件3D模型
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SI8235BB-D-IS1 数据手册 - Silicon Labs(芯科)
制造商:
Silicon Labs(芯科)
分类:
接口隔离器
封装:
SOIC-16
描述:
SILICON LABS SI8235BB-D-IS1 数字隔离器, 2通道, 30 ns, 4.5 V, 5.5 V, NSOIC, 16 引脚
Pictures:
3D模型
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焊盘图
引脚图
产品图
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SI8235BB-D-IS1 数据手册 (57 页)
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SI8235BB-D-IS1 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
电源电压
4.50V (min)
封装
SOIC-16
上升/下降时间
12ns (Max)
输出接口数
2 Output
输出电流
4 A
通道数
2 Channel
针脚数
16 Position
功耗
1.2 W
上升时间
12 ns
隔离电压
2500 Vrms
下降时间
12 ns
下降时间(Max)
12 ns
上升时间(Max)
12 ns
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
1200 mW
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
4.5 V
查看数据手册 >
SI8235BB-D-IS1 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-40℃ ~ 125℃
查看数据手册 >
SI8235BB-D-IS1 符合标准
SI8235BB-D-IS1 海关信息
SI8235BB-D-IS1 概述
●
Si823x系列隔离式驱动器具有两个独立的隔离驱动器. 最大供电电压为24V. Si823x驱动器采用Silicon Labs的硅隔离技术, 可提供高达5kVRMS的耐受电压 (符合UL1577), 与60ns快速传播时间. 驱动器输出可以接地至相同或不同的地线, 或连接至正或负电压. 高度集成, 低传播延迟, 小尺寸安装, 优秀的灵活性与性价比, 使该产品成为隔离MOSFET/IGBT栅极驱动应用的理想选择. 可选TTL电平兼容输入, >400mV迟滞.
●
高电磁抗扰度 (EMI)
●
重叠保护与可编程死区时间
●
高达5kVRMS输入至输出隔离
●
峰值驱动器至驱动器差分电压高达1500VDC
●
开关频率高达8MHz
●
>45kV/µs瞬态抗扰度
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SI8235BB-D-IS1 数据手册
SI8235BB-D-IS1
数据手册
Silicon Labs(芯科)
57 页 / 0.88 MByte
SI8235BB-D-IS1
产品设计参考手册
Silicon Labs(芯科)
16 页 / 0.83 MByte
SI8235BB-D-IS1
其他数据使用手册
Silicon Labs(芯科)
59 页 / 0.97 MByte
SI8235 数据手册
SI8235
数据手册
Silicon Labs(芯科)
SI8235
BB-D-IS1
数据手册
Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS SI8235BB-D-IS1 数字隔离器, 2通道, 30 ns, 4.5 V, 5.5 V, NSOIC, 16 引脚
SI8235
AB-D-IM
数据手册
Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS SI8235AB-D-IM 数字隔离器, 2通道, 30 ns, 4.5 V, 5.5 V, LGA, 14 引脚
SI8235
BD-D-IS
数据手册
Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS SI8235BD-D-IS 数字隔离器, 2通道, 30 ns, 4.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 引脚
SI8235
BB-D-IS
数据手册
Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS SI8235BB-D-IS 数字隔离器, 2通道, 30 ns, 4.5 V, 5.5 V, WSOIC, 16 引脚
SI8235
AB-D-IS1
数据手册
Silicon Labs(芯科)
SILICON LABS SI8235AB-D-IS1 数字隔离器, 2通道, 30 ns, 4.5 V, 5.5 V, NSOIC, 16 引脚
SI8235
AB-D-IMR
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Silicon Labs(芯科)
SI8235
BD-D-ISR
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Silicon Labs(芯科)
门驱动器 5 kV 8 V UVLO dual isolated gate driver
SI8235
AB-D-IS1R
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BB-D-ISR
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