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SN74LVC1G34DCKR
器件3D模型
0.092
SN74LVC1G34DCKR 数据手册 (37 页)
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SN74LVC1G34DCKR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
5 Pin
电源电压
5.00 V, 5.50 V (max)
封装
SC-70-5
输出接口数
1 Output
电路数
1 Circuit
通道数
1 Channel
针脚数
5 Position
位数
1 Bit
传送延迟时间
2.90 ns
逻辑门数量
1 Gate
输入数
1 Input
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
电源电压
1.65V ~ 5.5V
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
1.65 V

SN74LVC1G34DCKR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
2 mm
宽度
1.25 mm
高度
1 mm
工作温度
-40℃ ~ 125℃

SN74LVC1G34DCKR 数据手册

TI(德州仪器)
37 页 / 1.69 MByte
TI(德州仪器)
4 页 / 0.42 MByte

SN74LVC1G34 数据手册

TI(德州仪器)
单缓冲器闸
TI(德州仪器)
IC 缓存与线路驱动器 SN74LVC1G34DCKR SOT-353/SC-88A/SC70-5/TSSOP5 marking/标记 C9R
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS  SN74LVC1G34DBVR  芯片, 非反相缓冲门, SOT-23-5
TI(德州仪器)
74LVC1G 系列,Texas Instruments低电压 CMOS 逻辑 单门封装 工作电压:1.65 - 5.5 兼容性:输入 LVTTL/TTL、输出 LVCMOS 按 JESD 78 II 级标准,闩锁效应性能超过 100 mA。 ESD 保护超乎 JESD 22 标准 ### 74LVC 系列
TI(德州仪器)
74LVC1G 系列,Texas Instruments低电压 CMOS 逻辑 单门封装 工作电压:1.65 - 5.5 兼容性:输入 LVTTL/TTL、输出 LVCMOS 按 JESD 78 II 级标准,闩锁效应性能超过 100 mA。 ESD 保护超乎 JESD 22 标准 ### 74LVC 系列
TI(德州仪器)
单个缓冲区GATE SINGLE BUFFER GATE
TI(德州仪器)
单个缓冲区GATE SINGLE BUFFER GATE
TI(德州仪器)
单个缓冲区GATE SINGLE BUFFER GATE
TI(德州仪器)
单个缓冲区GATE SINGLE BUFFER GATE
TI(德州仪器)
单路缓冲门 6-SON -40 to 125
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