￥ 0.524

SPD03N50C3 数据手册 - Infineon（英飞凌）

制造商:

Infineon（英飞凌）

分类:

MOS管

封装:

TO-252-3

描述:

INFINEON SPD03N50C3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 560 V, 1.25 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

SPD03N50C3 数据手册 (11 页)

查看文档

或点击图片查看大图

SPD03N50C3 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

560 V

额定电流

3.20 A

封装

TO-252-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.25 Ω

极性

N-Channel

功耗

38 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

560 V

连续漏极电流(Ids)

3.20 A

上升时间

5 ns

输入电容值(Ciss)

350pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

38 W

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

38W (Tc)

查看数据手册 >

SPD03N50C3 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

6.73 mm

宽度

6.22 mm

高度

2.41 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃

查看数据手册 >

SPD03N50C3 符合标准

SPD03N50C3 概述

SPD03N50C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

11 页 / 0.25 MByte

SPD03N50C3 其他数据使用手册

Infineon（英飞凌）

16 页 / 0.37 MByte

SPD03N50C3 开发手册

Infineon（英飞凌）

6 页 / 1.89 MByte

SPD03N50 数据手册

SPD03N50C3 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON SPD03N50C3 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 560 V, 1.25 ohm, 10 V, 3 V

SPD03N50C3ATMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

INFINEON SPD03N50C3ATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 3.2 A, 560 V, 1.25 ohm, 10 V, 3 V

SPD03N50C3BTMA1 数据手册

Infineon（英飞凌）

Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPD03N50C3BTMA1, 3.2 A, Vds=560 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装

SPD03N50C3BT 数据手册

Infineon（英飞凌）

器件 Datasheet 文档搜索

AiEMA 数据库涵盖高达 72,405,303 个元件的数据手册，每天更新 5,000 多个 PDF 文件

关联型号

热门型号