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STB11NM80
0.301
STB11NM80 数据手册 (17 页)
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STB11NM80 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
D2PAK

STB11NM80 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown

STB11NM80 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.89 MByte

STB11 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB11NK50ZT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 500 V, 480 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB11NM80T4  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 5.5 A, 800 V, 0.35 ohm, 4 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB11NK40ZT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 4.5 A, 400 V, 490 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.40ohm - 11A TO- 220 / TO- 220FP / I2PAK FDmesh功率MOSFET,快速二极管? N-CHANNEL 600V - 0.40ohm - 11A TO-220 / TO-220FP/I2PAK FDmesh?Power MOSFET with FAST DIODE
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB11N52K3  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 525 V, 0.41 ohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600V - 0.4ohm -11A TO- 220 / TO- 220FP / D2PAK / I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET N-CHANNEL 600V - 0.4ohm-11A TO-220/TO-220FP/D2PAK/I2PAK MDmesh⑩Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600 V , 0.37 Ω , 10 A的MDmesh II ™功率MOSFET TO- 220 , TO- 220FP , I2PAK , IPAK , DPAK , D2PAK N-channel 600 V, 0.37 Ω, 10 A MDmesh™ II Power MOSFET TO-220, TO-220FP, I2PAK, IPAK, DPAK, D2PAK
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道600 V - 0.37ヘ - 10 A - TO- 220 - TO- 220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK第二代MDmesh⑩功率MOSFET N-channel 600 V - 0.37 ヘ - 10 A - TO-220 - TO-220FP- I2PAK - IPAK DPAK - D2PAK second generation MDmesh⑩ Power MOSFET
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