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STB120N4F6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

N 通道 STripFET™ F6，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STB120N4F6 数据手册 (18 页)

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STB120N4F6 数据手册 (18 页)

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STB120N4F6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

封装

TO-263-3

通道数

1 Channel

漏源极电阻

4 mΩ

极性

N-CH

功耗

110 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

40 V

漏源击穿电压

40 V

连续漏极电流(Ids)

80A

上升时间

70 ns

输入电容值(Ciss)

3850pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

110 W

下降时间

20 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

110 W

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STB120N4F6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.4 mm

宽度

9.35 mm

高度

4.6 mm

工作温度

-55℃ ~ 175℃

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STB120N4F6 符合标准

STB120N4F6 海关信息

STB120N4F6 概述