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STB120NF10T4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-263-3

描述:

STMICROELECTRONICS STB120NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 100 V, 10.5 mohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STB120NF10T4 数据手册 (21 页)

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STB120NF10T4 数据手册 (21 页)

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STB120NF10T4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

100 V

额定电流

120 A

封装

TO-263-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.0105 Ω

极性

N-Channel

功耗

312 W

阈值电压

4 V

输入电容

5200 pF

漏源极电压(Vds)

100 V

漏源击穿电压

100 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

110 A

上升时间

90 ns

输入电容值(Ciss)

5200pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

312 W

下降时间

68 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

312000 mW

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STB120NF10T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

10.4 mm

宽度

9.35 mm

高度

4.6 mm

重量

0.013607772 kg

工作温度

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

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STB120NF10T4 符合标准

STB120NF10T4 海关信息

STB120NF10T4 概述