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STB140NF55T4
2.585
STB140NF55T4 数据手册 (15 页)
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STB140NF55T4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
55.0 V
额定电流
80.0 A
封装
TO-263-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.0065 Ω
极性
N-Channel
功耗
300 W
阈值电压
3 V
漏源极电压(Vds)
55 V
漏源击穿电压
55.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
80.0 A
上升时间
150 ns
输入电容值(Ciss)
5300pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
300 W
下降时间
45 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
300W (Tc)

STB140NF55T4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.4 mm
宽度
9.35 mm
高度
4.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STB140NF55T4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
15 页 / 0.46 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.44 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
5 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.12 MByte

STB140NF55 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道55V - 0.0065欧姆 - 80A TO- 220 / D2PAK的STripFET II功率MOSFET N-CHANNEL 55V - 0.0065 ohm - 80A TO-220/D2PAK STripFET II POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB140NF55T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 40 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道55V - 0.0065Ω - 80A - D2PAK - I2PAK - TO- 220的STripFET ™II功率MOSFET N-channel 55V - 0.0065ヘ - 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220 STripFET⑩ II Power MOSFET
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