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STB16NF06LT4
0.595
STB16NF06LT4 数据手册 (13 页)
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STB16NF06LT4 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
16.0 A
封装
TO-263-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.07 Ω
极性
N-Channel
功耗
45 W
阈值电压
1 V
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±16.0 V
连续漏极电流(Ids)
16.0 A
上升时间
37 ns
输入电容值(Ciss)
345pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
45 W
下降时间
12.5 ns
工作温度(Max)
175 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
45W (Tc)

STB16NF06LT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
10.75 mm
宽度
10.4 mm
高度
4.6 mm
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STB16NF06LT4 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
13 页 / 0.39 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.37 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
10 页 / 0.75 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.12 MByte

STB16NF06 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STB16NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 16 A, 60 V, 0.07 ohm, 10 V, 1 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.07欧姆 - 16A D2PAK STripFET⑩功率MOSFET N-CHANNEL 60V - 0.07 ohm - 16A D2PAK STripFET⑩ POWER MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.07Ω - 16A - D2PAK的STripFET ™功率MOSFET N-channel 60V - 0.07Ω - 16A - D2PAK STripFET™ Power MOSFET
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