￥ 0.283

STD10PF06-1 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-251-3

描述:

P沟道60V - 0.18欧姆 - 10A IPAK / DPAK的STripFET II功率MOSFET P-CHANNEL 60V - 0.18 Ohm - 10A IPAK/DPAK STripFET II POWER MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STD10PF06-1 数据手册 (9 页)

原理图在1 页

STD10PF06-1 数据手册 (9 页)

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STD10PF06-1 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

-60.0 V

额定电流

-10.0 A

封装

TO-251-3

漏源极电阻

180 mΩ

极性

P-Channel

功耗

40 W

漏源极电压(Vds)

60 V

漏源击穿电压

60.0 V

栅源击穿电压

±20.0 V

连续漏极电流(Ids)

10.0 A

上升时间

40 ns

输入电容值(Ciss)

850pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

40 W

下降时间

10 ns

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

40W (Tc)

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STD10PF06-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

工作温度

175℃ (TJ)

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STD10PF06-1 符合标准