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STD12NF06-1
0.131
STD12NF06-1 数据手册 (14 页)
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STD12NF06-1 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
额定电压(DC)
60.0 V
额定电流
12.0 A
封装
TO-251-3
漏源极电阻
100 mΩ
极性
N-Channel
功耗
30W (Tc)
漏源极电压(Vds)
60 V
漏源击穿电压
60.0 V
栅源击穿电压
±20.0 V
连续漏极电流(Ids)
12.0 A
输入电容值(Ciss)
315pF @25V(Vds)
耗散功率(Max)
30W (Tc)

STD12NF06-1 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Obsolete
包装方式
Tube
工作温度
-55℃ ~ 175℃ (TJ)

STD12NF06-1 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
14 页 / 0.32 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
17 页 / 0.8 MByte

STD12 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD12NF06LT4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 80 mohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD12NF06T4  晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 60 V, 0.08 ohm, 10 V, 3 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STD12N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8.5 A, 650 V, 0.39 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.08з - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道40 V , 3.5 MI © , 80 A, DPAK , D²PAK STripFETâ ?? ¢六DeepGATEâ ?? ¢功率MOSFET N-channel 40 V, 3.5 mΩ , 80 A, DPAK, D²PAK STripFET™ VI DeepGATE™ Power MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II功率MOSFET N-channel 60V - 0.08ヘ - 12A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
TE Connectivity(泰科)
TE CONNECTIVITY / RAYCHEM  STD12W-A  电缆标识,E型,尺寸 12 A
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道 500V 10A
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