￥ 1.799

STF8NK100Z 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STF8NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 1 kV, 1.6 ohm, 10 V, 3.75 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STF8NK100Z 数据手册 (13 页)

封装尺寸在9 页 10 页 11 页

STF8NK100Z 数据手册 (13 页)

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STF8NK100Z 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

1.00 kV

额定电流

6.50 A

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.6 Ω

极性

N-Channel

功耗

40 W

阈值电压

3.75 V

输入电容

2.18 nF

栅电荷

73.0 nC

漏源极电压(Vds)

1000 V

漏源击穿电压

1.00 kV

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

6.50 A

上升时间

19 ns

输入电容值(Ciss)

2180pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

40 W

下降时间

30 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

40W (Tc)

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STF8NK100Z 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

16.4 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STF8NK100Z 符合标准

STF8NK100Z 概述