￥ 1.351

STFH24N60M2 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

中高压MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STFH24N60M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V 新

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STFH24N60M2 数据手册 (13 页)

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STFH24N60M2 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.168 Ω

极性

N-Channel

功耗

30 W

阈值电压

3 V

漏源极电压(Vds)

600 V

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

1060pF @100V(Vds)

下降时间

15 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

30 W

STFH24N60M2 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

11.1 mm

宽度

4.8 mm

高度

16.2 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STFH24N60M2 符合标准

STFH24N60M2 海关信息

STFH24N60M2 概述

STFH24N60M2 数据手册

STFH24N60M2 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 0.58 MByte

STFH24N60M2 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.57 MByte

STFH24N60 数据手册

STFH24N60M2 数据手册

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STMICROELECTRONICS STFH24N60M2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 18 A, 600 V, 0.168 ohm, 10 V, 3 V 新

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