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STFW3N170 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-3-3

描述:

STFW3N170 系列 1700 V 13 Ohm N-沟道 PowerMESH™ 功率 MOSFET - TO-3PF

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STFW3N170 数据手册 (12 页)

STFW3N170 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-3-3

极性

N-CH

功耗

63 W

输入电容

1100 pF

漏源极电压(Vds)

1700 V

连续漏极电流(Ids)

2.3A

上升时间

9 ns

输入电容值(Ciss)

1100pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

63 W

下降时间

53 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

63W (Tc)

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STFW3N170 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.7 mm

高度

26.7 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STFW3N170 符合标准

STFW3N170 概述

STFW3N170 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.56 MByte

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