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STGB14NC60KDT4 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

IGBT晶体管

封装:

TO-263-3

描述:

STGB14NC60K 系列 600 V 14 A 表面贴装耐短路 IGBT - D2PAK

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STGB14NC60KDT4 数据手册 (16 页)

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STGB14NC60KDT4 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

600 V

额定电流

25.0 A

封装

TO-263-3

极性

N-Channel

功耗

80000 mW

输入电容

760 pF

上升时间

8.50 ns

击穿电压(集电极-发射极)

600 V

热阻

62.5 ℃/W

反向恢复时间

37 ns

额定功率(Max)

80 W

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

80000 mW

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STGB14NC60KDT4 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

宽度

9.35 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STGB14NC60KDT4 符合标准

STGB14NC60KDT4 海关信息

STGB14NC60KDT4 数据手册

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N沟道14A - 600V -DPAK - D2PAK短路额定的PowerMESH TM IGBT N-channel 14A - 600V -DPAK - D2PAK Short circuit rated PowerMESH TM IGBT

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