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STP11NM60
2.055
STP11NM60 数据手册 (16 页)
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STP11NM60 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
600 V
额定电流
11.0 A
封装
TO-220-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.45 Ω
极性
N-Channel
功耗
160 W
阈值电压
4 V
漏源极电压(Vds)
650 V
漏源击穿电压
600 V
栅源击穿电压
±30.0 V
连续漏极电流(Ids)
11.0 A
上升时间
20 ns
输入电容值(Ciss)
1000pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
160 W
下降时间
11 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃
耗散功率(Max)
160W (Tc)

STP11NM60 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
9.15 mm
工作温度
-65℃ ~ 150℃ (TJ)

STP11NM60 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
16 页 / 0.35 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
4 页 / 0.08 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
3 页 / 0.04 MByte
ST Microelectronics(意法半导体)
1 页 / 0.12 MByte

STP11 数据手册

ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP11NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 800 V, 400 mohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
80V,110A,0.0065Ω,N沟道功率MOSFET
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP11NK50ZFP  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 500 V, 520 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP11NM60ND  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP11NM60  场效应管, MOSFET, N沟道, 650V, 11A, TO-220
ST Microelectronics(意法半导体)
STMICROELECTRONICS  STP11NK50Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 10 A, 500 V, 520 mohm, 10 V, 3.75 V
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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