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STP23NM60ND 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-220-3

描述:

STMICROELECTRONICS STP23NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STP23NM60ND 数据手册 (18 页)

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STP23NM60ND 数据手册 (18 页)

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STP23NM60ND 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-220-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.15 Ω

极性

N-Channel

功耗

150 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

600 V

连续漏极电流(Ids)

19.5A

上升时间

19 ns

输入电容值(Ciss)

2100pF @50V(Vds)

额定功率(Max)

150 W

下降时间

42 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

150W (Tc)

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STP23NM60ND 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

10.4 mm

宽度

4.6 mm

高度

15.75 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STP23NM60ND 符合标准

STP23NM60ND 概述

STP23NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

18 页 / 0.79 MByte

STP23NM60ND 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

15 页 / 0.29 MByte

STP23NM60ND 产品设计图

ST Microelectronics（意法半导体）

1 页 / 0.09 MByte

STP23NM60ND 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

22 页 / 1.07 MByte

STP23NM60ND 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

4 页 / 0.01 MByte

STP23NM60 数据手册

STP23NM60ND 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

STMICROELECTRONICS STP23NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 19.5 A, 600 V, 0.15 ohm, 10 V, 4 V

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ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO- 220 / FP TO- 247 ，第二代的MDmesh ™功率MOSFET N-channel 600 V - 0.150 Ω - 19 A - D2PAK - I2PAK - TO-220/FP TO-247, second generation MDmesh™ Power MOSFET

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