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器件3D模型
¥ 2.993
STP40NF20 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
描述:
STMICROELECTRONICS STP40NF20 晶体管, MOSFET, N沟道, 20 A, 200 V, 38 mohm, 10 V, 3 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
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封装尺寸
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STP40NF20 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
额定电压(DC)
200 V
额定电流
40.0 A
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
0.038 Ω
极性
N-Channel
功耗
160 W
阈值电压
3 V
输入电容
2.50 nF
栅电荷
75.0 nC
漏源极电压(Vds)
200 V
漏源击穿电压
200 V
连续漏极电流(Ids)
25.0 A, 40.0 A
上升时间
44 ns
输入电容值(Ciss)
2500pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
160 W
下降时间
22 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
160W (Tc)
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STP40NF20 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
15.75 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
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STP40NF20 符合标准
STP40NF20 海关信息
STP40NF20 概述
●
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
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STMICROELECTRONICS STP40NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 100 V, 0.025 ohm, 10 V, 3 V
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N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
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单 N沟道 650 V 0.088 Ohm 250 W 通孔 功率 Mosfet - TO-220-3
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NF12
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ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道120V - 0.028W - 40A TO- 220低栅电荷STripFET⑩ II功率MOSFET N-CHANNEL 120V - 0.028W - 40A TO-220 LOW GATE CHARGE STripFET⑩ II POWER MOSFET
STP40
0N4F6
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
STP40
N20
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ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道200V - 0.038欧姆 - 40A TO- 220 / TO- 247 / D2PAK低栅电荷的STripFET MOSFET N-CHANNEL 200V - 0.038 OHM - 40A TO-220/TO-247/D2PAK LOW GATE CHARGE STripFET MOSFET
STP40
N65M2
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
STP40
NS15
数据手册
ST Microelectronics(意法半导体)
N沟道150V - 0.042ohm - 40A TO- 220目OVERLAY⑩ MOSFET N-CHANNEL 150V - 0.042ohm - 40A TO-220 MESH OVERLAY⑩ MOSFET
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