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器件3D模型
¥ 0.588
STP4N62K3 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-220-3
描述:
STMICROELECTRONICS STP4N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.8 A, 620 V, 1.7 ohm, 10 V, 3.75 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
STP4N62K3 数据手册 (18 页)
封装尺寸
在
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STP4N62K3 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-220-3
通道数
1 Channel
针脚数
3 Position
漏源极电阻
1.7 Ω
极性
N-Channel
功耗
70 W
阈值电压
3.75 V
漏源极电压(Vds)
620 V
连续漏极电流(Ids)
3.8A
上升时间
9 ns
输入电容值(Ciss)
450pF @50V(Vds)
额定功率(Max)
70 W
下降时间
19 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
70W (Tc)
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STP4N62K3 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Not Recommended for New Designs
包装方式
Tube
长度
10.4 mm
宽度
4.6 mm
高度
15.75 mm
工作温度
150℃ (TJ)
查看数据手册 >
STP4N62K3 符合标准
STP4N62K3 海关信息
STP4N62K3 概述
●
N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics
●
### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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