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STT6N3LLH6 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

SOT-23-6

描述:

N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STT6N3LLH6 数据手册 (13 页)

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STT6N3LLH6 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

6 Pin

封装

SOT-23-6

针脚数

6 Position

漏源极电阻

0.021 Ω

功耗

1.6 W

阈值电压

1 V

漏源极电压(Vds)

30 V

上升时间

11.2 ns

输入电容值(Ciss)

283pF @24V(Vds)

额定功率(Max)

1.6 W

下降时间

5.4 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

1.6W (Tc)

STT6N3LLH6 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

3.05 mm

宽度

1.75 mm

高度

1.3 mm

工作温度

150℃ (TJ)

STT6N3LLH6 符合标准

STT6N3LLH6 概述

STT6N3LLH6 数据手册

STT6N3LLH6 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

13 页 / 1.01 MByte

STT6N3LLH6 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.94 MByte

STT6N3 数据手册

STT6N3LLH6 数据手册

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N 通道 STripFET™ DeepGate™，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics

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