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器件3D模型
¥ 0.605
STU3N62K3 数据手册 - ST Microelectronics(意法半导体)
制造商:
ST Microelectronics(意法半导体)
分类:
MOS管
封装:
TO-251-3
描述:
STMICROELECTRONICS STU3N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 620 V, 2.2 ohm, 10 V, 3.75 V
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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封装尺寸
在
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STU3N62K3 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
3 Pin
封装
TO-251-3
针脚数
3 Position
漏源极电阻
2.2 Ω
极性
N-Channel
功耗
45 W
阈值电压
3.75 V
漏源极电压(Vds)
620 V
连续漏极电流(Ids)
2.7A
上升时间
6.8 ns
输入电容值(Ciss)
385pF @25V(Vds)
额定功率(Max)
45 W
下降时间
15.6 ns
工作温度(Max)
150 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
耗散功率(Max)
45W (Tc)
查看数据手册 >
STU3N62K3 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
6.6 mm
宽度
2.4 mm
高度
6.9 mm
工作温度
150℃ (TJ)
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STU3N62K3 符合标准
STU3N62K3 概述
●
N 通道 MDmesh™ K3 系列,SuperMESH3™, STMicroelectronics
●
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STMICROELECTRONICS STU3N62K3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 2.7 A, 620 V, 2.2 ohm, 10 V, 3.75 V
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