STW11NB80

￥ 0.392

STW11NB80 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

N沟道800V - 0.65ohm - 11A - T0-247的PowerMESH MOSFET N-CHANNEL 800V - 0.65ohm - 11A - T0-247 PowerMESH MOSFET

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

STW11NB80 数据手册 (8 页)

原理图在1 页

STW11NB80 数据手册 (8 页)

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STW11NB80 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

800 V

额定电流

11.0 A

封装

TO-247-3

漏源极电阻

800 mΩ

极性

N-Channel

功耗

190 W

漏源极电压(Vds)

800 V

漏源击穿电压

800 V

栅源击穿电压

±30.0 V

连续漏极电流(Ids)

11.0 A

上升时间

13 ns

输入电容值(Ciss)

2900pF @25V(Vds)

下降时间

23 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-65 ℃

耗散功率(Max)

190W (Tc)

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STW11NB80 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Unknown

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

150℃ (TJ)

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STW11NB80 符合标准

STW11NB80 数据手册

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ST Microelectronics（意法半导体）

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