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STW9N150 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

STMICROELECTRONICS STW9N150 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 8 A, 1.5 kV, 1.8 ohm, 10 V, 4 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

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STW9N150 数据手册 (12 页)

封装尺寸在9 页 10 页

STW9N150 数据手册 (12 页)

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STW9N150 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

针脚数

3 Position

漏源极电阻

1.8 Ω

极性

N-Channel

功耗

320 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

1500 V

上升时间

14.7 ns

输入电容值(Ciss)

3255pF @25V(Vds)

额定功率(Max)

320 W

下降时间

52 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

320W (Tc)

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STW9N150 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

长度

15.75 mm

宽度

5.15 mm

高度

20.15 mm

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

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STW9N150 符合标准

STW9N150 海关信息

STW9N150 概述

STW9N150 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

12 页 / 0.24 MByte

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