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STY105NM50N 数据手册 - ST Microelectronics（意法半导体）

制造商:

ST Microelectronics（意法半导体）

分类:

MOS管

封装:

TO-247-3

描述:

晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 500 V, 0.019 ohm, 10 V, 3 V

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

STY105NM50N 数据手册 (17 页)

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STY105NM50N 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

封装

TO-247-3

通道数

1 Channel

针脚数

3 Position

漏源极电阻

0.019 Ω

极性

N-CH

功耗

625 W

阈值电压

4 V

漏源极电压(Vds)

500 V

连续漏极电流(Ids)

110A

上升时间

88 ns

输入电容值(Ciss)

9600pF @100V(Vds)

额定功率(Max)

625 W

下降时间

70 ns

工作温度(Max)

150 ℃

工作温度(Min)

-55 ℃

耗散功率(Max)

625W (Tc)

STY105NM50N 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Active

包装方式

Tube

工作温度

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

STY105NM50N 符合标准

STY105NM50N 概述

STY105NM50N 数据手册

STY105NM50N 其他数据使用手册

ST Microelectronics（意法半导体）

17 页 / 0.18 MByte

STY105NM50N 产品封装文件

ST Microelectronics（意法半导体）

14 页 / 0.86 MByte

STY105NM50N 产品修订记录

ST Microelectronics（意法半导体）

30 页 / 0.31 MByte

STY105NM50 数据手册

STY105NM50N 数据手册

ST Microelectronics（意法半导体）

晶体管, MOSFET, N沟道, 110 A, 500 V, 0.019 ohm, 10 V, 3 V

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