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T55B227M6R3C0035
0.265
T55B227M6R3C0035 数据手册 (22 页)
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T55B227M6R3C0035 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
额定电压(DC)
6.30 V
电容
220 µF
等效串联电阻(ESR)
0.035 Ω
封装
3528
工作温度(Max)
105 ℃
工作温度(Min)
-55 ℃
额定电压
6.3 V

T55B227M6R3C0035 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
1.9 mm
介质材料
Tantalum

T55B227M6R3C0035 数据手册

VISHAY(威世)
22 页 / 0.56 MByte
VISHAY(威世)
10 页 / 0.57 MByte
VISHAY(威世)
13 页 / 0.32 MByte

T55B227M6R3 数据手册

VISHAY(威世)
T55 系列T55 固体钽表面安装片状电容器 模制盒、高性能聚合体型超低 ESR 模制外壳,提供 5 个箱代码 接线端子:箱 J、P 和 A:100% 锡 箱 B 和 T:Ni/Pd/Au 与高容量自动拾放设备兼容 湿度敏感性等级 3 去耦、平滑、滤波中的应用;无线卡中的节能存储;基础设施设备;存储和网络;计算机主板;智能手机和平板电脑
VISHAY(威世)
钽电容 B型 220uF ±20% 6.3V 25mΩ@100kHz
VISHAY(威世)
钽聚合物电容器, 220 µF, 6.3 V, vPolyTan T55系列, ± 20%, B, 0.035 ohm
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  T55B227M6R3C0070.  钽电容, 220UF, 6.3V, 封装B
Vishay Semiconductor(威世)
VISHAY  T55B227M6R3C0035  表面贴装钽电容, T55 vPolyTan系列, 220 µF, 1411 [3528 公制], 0.035 ohm, 6.3 V
Vishay Semiconductor(威世)
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