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TLV2333IDGKR
器件3D模型
0.29
TLV2333IDGKR 数据手册 (37 页)
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TLV2333IDGKR 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
封装
VSSOP-8
供电电流
17 µA
电路数
2 Circuit
通道数
2 Channel
共模抑制比
102 dB
输入补偿漂移
20.0 nV/K
转换速率
160 mV/μs
增益频宽积
350 kHz
输入补偿电压
2 µV
输入偏置电流
70 pA
工作温度(Max)
125 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
共模抑制比(Min)
102 dB
电源电压(Max)
5.5 V
电源电压(Min)
1.8 V

TLV2333IDGKR 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
工作温度
-40℃ ~ 125℃

TLV2333IDGKR 数据手册

TI(德州仪器)
37 页 / 1.02 MByte
TI(德州仪器)
5 页 / 0.32 MByte

TLV2333 数据手册

TI(德州仪器)
TLVx333 零漂移 CMOS 运算放大器
TI(德州仪器)
运算放大器 - 运放 350 kHz, Low-Noise, RRIO, CMOS Operational Amplifier for Cost-Sensitive Systems 8-VSSOP -40 to 125
TI(德州仪器)
适用于成本敏感型系统的双路、350kHz、低噪声、 RRIO、CMOS 运算放大器 8-SOIC -40 to 125
TI(德州仪器)
TLV2333IDGKT 编带
TI(德州仪器)
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