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器件3D模型
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TPD2E001DRST-NM 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
TVS二极管
封装:
WSON-6
描述:
低电容2通道± 15千伏ESD保护阵列高速数据接口 LOW-CAPACITANCE 2-CHANNEL ±15-kV ESD-PROTECTION ARRAY FOR HIGH-SPEED DATA INTERFACES
Pictures:
3D模型
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TPD2E001DRST-NM 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
6 Pin
工作电压
5.5 V
电容
1.50 pF
封装
WSON-6
击穿电压
11 V
通道数
2 Channel
钳位电压
105.5 V
最小反向击穿电压
11 V
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
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TPD2E001DRST-NM 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
高度
0.75 mm
工作温度
-40℃ ~ 85℃ (TA)
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TPD2E001DRST-NM 符合标准
TPD2E001DRST-NM 海关信息
TPD2E001DRST-NM 概述
●
\- 夹子 - Ipp TVS - 二极管 表面贴装型
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TPD2E001DRST-NM 数据手册
TPD2E001DRST-NM
数据手册
TI(德州仪器)
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TPD2E001 数据手册
TPD2E001
数据手册
TI(德州仪器)
适用于高速数据接口的低电容、双通道 +/-15kV ESD 保护阵列
TPD2E001
DRLR
数据手册
TI(德州仪器)
ESD 保护阵列,用于高速数据接口,STMicroelectronicsESD 保护超过 ±15kV 个人体模型 (HBM) ±8kV IEC 61000-4-2 触点放电 ±15kV IEC 61000-4-2 空隙放电 低 1.5pF 输入电容 低 1nA(最大值)泄露电流 低 1nA 电源电流 USB 2.0、Ethernet、FireWire™、SVGA 视频、手机等中的应用 ### 瞬态电压抑制器,STMicroelectronics
TPD2E001
DZDR
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS TPD2E001DZDR 静电保护装置, 排列, SOP, 4 引脚, 5.5 V
TPD2E001
DRYR
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS TPD2E001DRYR 静电保护装置, 排列, 25 V, SON, 6 引脚, 5.5 V
TPD2E001
DRSR
数据手册
TI(德州仪器)
ESD) 保护,Texas Instruments### 集成 ESD 保护过压保护(OVP) 过电流保护 (OCP) 电流限制负载开关 电平移位器 EMI 保护 ### 高性能 TVS 二极管低电容 低泄漏电流 超小型封装 高电压 高 IEC 保护 4 通道 ESD 和浪涌保护,用于超高速 (6Gbps) USB 3.0 接口 (TPD4EUSB30DQAR) ### 瞬态电压抑制器,Texas Instruments
TPD2E001
IDRLRQ1
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS TPD2E001IDRLRQ1 二极管, 车用, 低电容值, 2通道
TPD2E001
DRLRG4
数据手册
TI(德州仪器)
低电容2通道± 15千伏ESD保护阵列高速数据接口 LOW-CAPACITANCE 2-CHANNEL ±15-kV ESD-PROTECTION ARRAY FOR HIGH-SPEED DATA INTERFACES
TPD2E001
DRYRG4
数据手册
TI(德州仪器)
低电容2通道± 15千伏ESD保护阵列高速数据接口 LOW-CAPACITANCE 2-CHANNEL ±15-kV ESD-PROTECTION ARRAY FOR HIGH-SPEED DATA INTERFACES
TPD2E001
DRST-NM
数据手册
TI(德州仪器)
低电容2通道± 15千伏ESD保护阵列高速数据接口 LOW-CAPACITANCE 2-CHANNEL ±15-kV ESD-PROTECTION ARRAY FOR HIGH-SPEED DATA INTERFACES
TPD2E001
YFPR
数据手册
TI(德州仪器)
低电容2通道± 15千伏ESD保护阵列高速数据接口 LOW-CAPACITANCE 2-CHANNEL ±15-kV ESD-PROTECTION ARRAY FOR HIGH-SPEED DATA INTERFACES
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