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器件3D模型
¥ 0.266
UC3844BVD1R2G 数据手册 - ON Semiconductor(安森美)
制造商:
ON Semiconductor(安森美)
分类:
PWM控制器
封装:
SOIC-8
描述:
ON SEMICONDUCTOR UC3844BVD1R2G 控制器, 电流模式, 25V-12V电源, 250 kHz, 13.4V/200mA输出, SOIC-8
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
UC3844BVD1R2G 数据手册 (31 页)
封装尺寸
在
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UC3844BVD1R2G 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
频率
250 kHz
引脚数
8 Pin
电源电压
12.0V (min)
封装
SOIC-8
无卤素状态
Halogen Free
输出接口数
1 Output
输入电压(DC)
25.0 V
输出电压
13.4 V
输出电流
200 mA
供电电流
12 mA
针脚数
8 Position
功耗
0.702 W
上升时间
50 ns
开关频率
500 kHz
拓扑结构
Flyback, Forward, Step-Up, Step-Down
占空比
48 %
最大占空比
48 %
下降时间
50 ns
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
0 ℃
耗散功率(Max)
702 mW
电源电压
10V ~ 30V
电源电压(Max)
25 V
电源电压(Min)
12 V
输入电压
25 V
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UC3844BVD1R2G 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Cut Tape (CT)
工作温度
-40℃ ~ 105℃ (TA)
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UC3844BVD1R2G 符合标准
UC3844BVD1R2G 海关信息
UC3844BVD1R2G 概述
●
UC3844BVD1R2G 是一款高性能固定频率电流模式脉宽调制 (PWM)控制器, 设计用于离线和DC-DC转换器应用, 高性价比, 所需外部元件数量极少。配有振荡器, 温度补偿基准, 高增益误差放大器, 电流感测比较器, 高电流图腾柱输出适合驱动功率MOSFET。还带有多种保护功能, 例如输入和基准欠压锁定 (带迟滞), 逐周期电流限制, 锁存器用于单脉冲计量, 以及一个触发器, 每隔一个振荡器周期阻隔输出, 从而可设置输出死区时间为50%到70%。
●
精确的频率控制
●
自动前馈补偿
●
内部调节基准, 带欠压锁定
●
大电流图腾柱输出
●
欠压锁定, 带滞后
●
低启动和工作电流
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UC3844BVD1R2
G
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ON Semiconductor(安森美)
ON SEMICONDUCTOR UC3844BVD1R2G 控制器, 电流模式, 25V-12V电源, 250 kHz, 13.4V/200mA输出, SOIC-8
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