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器件3D模型
¥ 1.19
UCC27324DGN 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
FET驱动器
封装:
PowerPad-MSOP-8
描述:
TEXAS INSTRUMENTS UCC27324DGN 双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, 35ns延迟, MSOP-8
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
PDF文件:
UCC27324DGN 数据手册 (34 页)
引脚图
在
4 页
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封装尺寸
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22 页
23 页
24 页
26 页
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典型应用电路图
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在
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UCC27324DGN 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
8 Pin
电源电压
4.00V (min)
封装
PowerPad-MSOP-8
上升/下降时间
20ns, 15ns
输出接口数
2 Output
输出电压
150 mV
针脚数
8 Position
功耗
3 W
上升时间
40 ns
输入电压(Max)
16 V
输出电压(Max)
450 mV
输出电流(Max)
4.5 A
下降时间
40 ns
下降时间(Max)
40 ns
上升时间(Max)
40 ns
工作温度(Max)
85 ℃
工作温度(Min)
-40 ℃
耗散功率(Max)
2120 mW
电源电压
4.5V ~ 15V
电源电压(Max)
15 V
电源电压(Min)
4 V
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UCC27324DGN 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tube
长度
3 mm
宽度
3 mm
高度
1.02 mm
工作温度
-55℃ ~ 150℃ (TJ)
查看数据手册 >
UCC27324DGN 符合标准
UCC27324DGN 海关信息
UCC27324DGN 概述
●
MOSFET & IGBT Drivers, 3A to 5A, Texas Instruments
●
Texas Instruments 专用栅极驱动器 IC 系列适用于 MOSFET 和 IGBT 应用。 设备可提供适合与 MOSFET 和 IGBT 电源设备兼容的高电流输出,且提供各种配置和封装类型。
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UCC27324DGN
数据手册
TI(德州仪器)
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双 4A 峰值高速低侧电源 MOSFET 驱动器
UCC27324
DR
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TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC27324DR MOSFET驱动器, 4.5V-15V电源, 4A输出, SOIC-8 新
UCC27324
D
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC27324D 双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, 35ns延迟, SOIC-8
UCC27324
P
数据手册
TI(德州仪器)
TEXAS INSTRUMENTS UCC27324P 双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, 35ns延迟, DIP-8
UCC27324
DGN
数据手册
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TEXAS INSTRUMENTS UCC27324DGN 双路驱动器, MOSFET, 低压侧, 4V-15V电源, 4A输出, 35ns延迟, MSOP-8
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DRG4
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双4 - A峰值高速低侧功率MOSFET驱动器 Dual 4-A Peak High-Speed Low-Side Power-MOSFET Drivers
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