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器件3D模型
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ULN2003ADR 数据手册 - TI(德州仪器)
制造商:
TI(德州仪器)
分类:
双极性晶体管
封装:
SOIC-16
描述:
TEXAS INSTRUMENTS ULN2003ADR 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
Pictures:
3D模型
符号图
焊盘图
引脚图
产品图
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ULN2003ADR 数据手册 (34 页)
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ULN2003ADR 技术参数、封装参数
类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
16 Pin
额定电压(DC)
50.0 V
额定电流
500 mA
封装
SOIC-16
输出接口数
7 Output
输出电压
50 V
输出电流
0.5 A
通道数
7 Channel
针脚数
16 Position
极性
NPN
击穿电压(集电极-发射极)
50 V
驱动器/包
7
集电极最大允许电流
0.5A
输出电流(Max)
500 mA
工作温度(Max)
70 ℃
工作温度(Min)
-20 ℃
输入电压
30 V
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ULN2003ADR 外形尺寸、物理参数、其它
类型
描述
产品生命周期
Active
包装方式
Tape & Reel (TR)
长度
9.9 mm
宽度
3.91 mm
高度
1.58 mm
工作温度
-20℃ ~ 70℃ (TA)
查看数据手册 >
ULN2003ADR 符合标准
ULN2003ADR 海关信息
ULN2003ADR 概述
●
复合晶体管晶体管阵列,Texas Instruments
●
Texas Instruments 提供的达林顿晶体管阵列,适合各种中电流至高电流驱动器应用。
●
### 达林顿晶体管驱动器
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ULN2003ADR
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TEXAS INSTRUMENTS ULN2003ADR 双极晶体管阵列, NPN, 50 V, 500 mA, SOIC
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TEXAS INSTRUMENTS ULN2003AN 双极晶体管阵列, 达林顿晶体管, NPN, 50 V, 500 mA, DIP
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STMICROELECTRONICS ULN2003D1013TR 双极晶体管阵列, 达林顿, NPN, 50 V, 500 mA, 1000 hFE, SOIC
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ON SEMICONDUCTOR ULN2003ADR2G. 达林顿晶体管 阵列, NPN, X7, 50V, 16-SOIC
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