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IRF840 数据手册

型号系列:

IRF840 系列

分类:

MOS管

描述:

N沟道增强型功率MOS晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

文档:

IRF840ASPBF 数据手册 (11 页)

更新于: 2023/01/13 01:19:22 (UTC + 8)

IRF840 MOS管数据手册

#1

IRF840ASPBF

数据手册 (11 页)

2.7

VISHAY（威世）

#2

IRF840ASTRLPBF

数据手册 (11 页)

2.3

VISHAY（威世）

#3

IRF840STRLPBF

数据手册 (10 页)

2.8

VISHAY（威世）

#4

IRF840PBF

数据手册 (9 页)

5.6

VISHAY（威世）

IRF840 数据手册 MOS管

9 页

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

9 页

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

9 页

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

9 页

Vishay Semiconductor（威世）

VISHAY IRF840PBF. 晶体管, MOSFET, N沟道, 8 A, 500 V, 850 mohm, 10 V, 4 V

9 页

ST Microelectronics（意法半导体）

N沟道增强型功率MOS晶体管 N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOS TRANSISTORS

9 页

Vishay Siliconix

9 页

Vishay Siliconix

9 页

Vishay Siliconix

9 页

Vishay Semiconductor（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

9 页

Vishay Siliconix

9 页

Advanced Power Electronics（富鼎先进电子）

8 页

Vishay Siliconix

8 页

VISHAY（威世）

晶体管, MOSFET, N沟道, 8.7 A, 500 V, 0.7 ohm, 10 V, 5 V

8 页

VISHAY（威世）

功率MOSFET Power MOSFET

8 页

CJ（长电科技）

MOS场效应管 IRF840 TO-220-3L

6 页

Motorola（摩托罗拉）

N沟道 500V 8A

更多 IRF840 数据手册 >

IRF840 - ST Microelectronics（意法半导体）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

500 V

额定电流

8.00 A

封装

TO-220-3

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