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MMBT4401 数据手册

型号系列:

MMBT4401 系列

分类:

描述:

NPN,Vceo=40V,Ic=600mA,丝印2X

文档:

MMBT4401 数据手册 (21 页)

更新于: 2023/01/13 01:37:56 (UTC + 8)

MMBT4401 - 数据手册

MMBT4401

数据手册 (21 页)

3.7

ON Semiconductor（安森美）

MMBT4401

数据手册 (21 页)

3.2

Fairchild（飞兆/仙童）

MMBT4401K

数据手册 (21 页)

0.5

Fairchild（飞兆/仙童）

MMBT4401LT3G

数据手册 (14 页)

3.5

ON Semiconductor（安森美）

MMBT4401 数据手册 -

MMBT4401WT1G

数据手册

14 页

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR MMBT4401WT1G 单晶体管双极, NPN, 40 V, 250 MHz, 150 mW, 600 mA, 20 hFE

MMBT4401LT1G

数据手册

11 页

ON Semiconductor（安森美）

ON SEMICONDUCTOR MMBT4401LT1G 单晶体管双极, 通用, NPN, 40 V, 250 MHz, 225 mW, 600 mA, 250 hFE

MMBT4401

数据手册

11 页

CJ（长电科技）

NPN,Vceo=40V,Ic=600mA,丝印2X

MMBT4401

数据手册

11 页

Diotec Semiconductor

MMBT4401

数据手册

11 页

Diodes（美台）

小信号晶体管（ NPN ） SMALL SIGNAL TRANSISTORS (NPN)

MMBT4401

数据手册

11 页

NTE Electronics

MMBT4401

数据手册

11 页

Micro Commercial Components（美微科）

MMBT4401

数据手册

11 页

LiteOn（光宝）

MMBT4401-7-F

数据手册

10 页

Diodes（美台）

三极管

MMBT4401-7

数据手册

10 页

Diodes（美台）

mmbt4401-7 NPN三极管 60V 600mA/0.6a 250Mhz 20~300 400mV~750mV SOT-23/SC-59 marking/标记 k2x 开关和放大器

MMBT4401-13-F

数据手册

10 页

Diodes（美台）

MMBT4401-TP

数据手册

9 页

Micro Commercial Components（美微科）

MICRO COMMERCIAL COMPONENTS MMBT4401-TP 双极性晶体管, NPN, 40VDC, SOT-23

MMBT4401LT1

数据手册

8 页

ON Semiconductor（安森美）

MMBT4401LT1 NPN三极管 60V 600mA/0.6a 250Mhz 20~300 400mV~750mV SOT-23/SC-59 marking/标记 2X

MMBT4401LT3

数据手册

7 页

ON Semiconductor（安森美）

开关晶体管（ NPN硅） Switching Transistor(NPN Silicon)

MMBT4401M3T5G

数据手册

6 页

ON Semiconductor（安森美）

NPN开关晶体管 NPN Switching Transistor

MMBT4401T-7-F

数据手册

5 页

Diodes（美台）

MMBT4401T-7-F 编带

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MMBT4401 - CJ（长电科技）技术参数、封装参数

类型

描述

封装

SOT-23

极性

NPN

击穿电压(集电极-发射极)

40 V

集电极最大允许电流

600mA

最小电流放大倍数

100

MMBT4401 - CJ（长电科技）概述

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO)| 60V

●\---|---

●集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO)| 40V

●集电极连续输出电流ICCollector Current(IC)| 600mA/0.6A

●截止频率fTTranstion Frequency(fT)| 250Mhz

●直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE)| 20~300

●管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 400mV~750mV

●耗散功率PcPower Dissipation| 350mW/0.35W

●Description & Applications| This device is designed for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500 mA.

●描述与应用| This device is designed for use as a medium power amplifier and switch requiring collector currents up to 500 mA.

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