【干货】一文带你轻松搞定1N747齐纳二极管
元器件选型替换发布于 • 阅读量 805
百芯EMA-国内DFM分析工具：PCB/PCBA 3D仿真+BOM物料管理+PCB/PCBA DFM 可制造性分析
今天给大家介绍的是 1N747 齐纳二极管 ，主要是以下：
- 1N747 齐纳二极管引脚功能
- 1N747 齐纳二极管 CAD 模型
- 1N747 齐纳二极管 特性规格
- 1N747选型替换
- 1N747工作原理
- 1N747 齐纳二极管应用电路
- 如何选择齐纳二极管
一、1N747 齐纳二极管
1N747是一个 3.6V 400mW 齐纳二极管，是一个双向开关器件，意味着可以在两个方向传导电流。1N747是一种强掺杂二极管，当达到一定的电压阈值时，允许反向电流流动。齐纳二极管用于电压调节电路。
该齐纳二极管的标称齐纳电压为 3.6V，容差为 5%，是一个 500mW 齐纳二极管，正向电压为 1.5V。为了稳定调节，仅需要 20mA 的偏置电流。
齐纳二极管
二、1N747 齐纳二极管引脚功能
下图显示了 1N747A二极管的引脚排列：
1N747A二极管的引脚排列
像典型的二极管一样，这个硅平面也有两个端子。一个是带正电的阳极，第二个端子是带负电的阴极。齐纳二极管通常在反向偏置条件下工作。
具体的引脚排列，如下所示：
1N747A二极管的引脚功能
三、1N747 齐纳二极管 CAD 模型
1、1N747 符号
1N747 符号
2、1N747 封装尺寸
1N747 封装尺寸
3、1N747 3D 模型
1N747 3D 模型
四、1N747 齐纳二极管 特性规格
1N747数据手册 PDF，美高森美，硅500 mW的稳压二极管 Silicon 500 mW Zener Diodes，34KB中文资料下载 -采芯网
- 功耗：500 mW
- 正向电压（IF = 200mA）：1.5V
- 齐纳偏置电流：2 0 mA
- 齐纳电压：3.6 V
- 最大齐纳电流：100 mA
- ± 5% 齐纳电压 容差
- 封装类型：DO-35
来源于 findIC
五、1N747选型替换
- TZX3V6C
- 1N5227B
- MMBZ5227BLT1G
六、1N747工作原理
齐纳二极管以反向和并联方式连接到负载。
每当向齐纳二极管施加大于反向击穿电压的电压时，就会有大量电流开始流过齐纳二极管。齐纳二极管两端存在小电压降。当电压升高时，电流增加，但齐纳二极管两端的电压保持恒定并等于其击穿电压。
由于负载与齐纳二极管并联，因此负载两端的电压等于齐纳二极管的击穿电压。
这样的话，可以将电压控制或限幅至反向击穿电压电平。其次，所有高电流都流经二极管而不是负载，从而保护其免受损坏。
1N747 原理图
简而言之，如果负载需要10 V 电压，则需要反向电压为 10 V的齐纳二极管。
七、1N747 齐纳二极管应用电路
1、1N747作为稳压器/保护电路
下图显示了齐纳二极管的标准稳压器示例：
标准稳压器
R1 是齐纳二极管 ZD1 的偏置电阻，将调节连接电阻负载的齐纳二极管的输出。
由于偏置电阻 R1 上不必要的功耗，上面电路的效率会比较低
2、1N747 双限幅电路
该电路为全波限幅电路。两个齐纳二极管背对背连接以执行削波。
全波限幅电路
工作原理与前面介绍的电路相同。在正半周期间，ZD1 将反向偏置并对输入交流波进行限幅。当负周期到来时，ZD2 将反向偏置并将信号削波至反向击穿电压。
1N747 双限幅电路
实际上，电压被削波为齐纳反向电压与其压降之和。限幅电路经常在调频发射器中找到它们的应用，以消除电压尖峰并输出噪声波形。
八、如何选择齐纳二极管
1、确定应用所需的调节电压
选择与所需电压尽可能接近的齐纳电压。(V z )
2、计算总负载电流
假设负载需要 100mA 的负载电流，则总电路的实际电流将为：
负载电流（100mA）+齐纳偏置电流（以5mA为例）+负载电流的10%或20%更安全值（20mA）=总电流（125mA）
3、确定齐纳二极管的功耗
根据总电流和齐纳二极管电压确定齐纳二极管的功耗。
例如，1N747A齐纳电压为3.6V。因此，在相同的参数下，齐纳二极管的功耗将为：
(3.6V x 0.125A) = 0.45W (450mW)
选择大于实际所需额定功率的齐纳二极管，1N747A 的额定功率为 500mW。
以上就是关于 1N747 齐纳二极管的内容，欢迎大家阅读。
关于电子元器件选型的更多内容，欢迎阅读以下文章：
【干货】如何选择合适的EMI滤波器？这一文帮你搞定，8个选型参数
