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1N6373 数据手册

型号系列:
1N6373 系列
分类:
TVS二极管
描述:
1500瓦峰值功率Mosorb齐纳瞬态电压抑制器 1500 Watt Peak Power Mosorb Zener Transient Voltage Suppressors
更新于: 2023/01/13 02:52:25 (UTC + 8)

1N6373 TVS二极管 数据手册

#1
1N6373RL4

1N6373RL4

数据手册 (22 )
1.0
ON Semiconductor(安森美)
#2
1N6373RL4G

1N6373RL4G

数据手册 (20 )
2.3
ON Semiconductor(安森美)
#3
1N6373G

1N6373G

数据手册 (20 )
2.2
ON Semiconductor(安森美)
#4
1N6373

1N6373

数据手册 (20 )
1.6
ON Semiconductor(安森美)

1N6373 数据手册 TVS二极管

20
Littelfuse(力特)
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
20
Littelfuse(力特)
1500W Mosorb™ 齐纳瞬态电压抑制器(单向)Mosorb 设备设计用于保护电压敏感组件,以抵抗高电压和高能量瞬变。 它们具有极佳的钳位能力、高浪涌能力、低齐纳阻抗和快速响应时间。峰值功率:1500W @1 ms 3 类 ESD 等级>(16kV)/个人体模型 最高钳位电压 @ 峰值脉冲电流 低泄漏 < 5μA 高于 10V UL 497B,用于隔离回路保护 响应时间通常为 < 1ns### 瞬态电压抑制器,On Semiconductor
5
Vishay Semiconductor(威世)
TRANSZORB® 瞬态电压抑制器轴向单向 1500W,Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor
5
VISHAY(威世)
TRANSZORB® 瞬态电压抑制器轴向单向 1500W,Vishay Semiconductor### 瞬态电压抑制器,Vishay Semiconductor
5
Vishay Semiconductor(威世)
ESD 抑制器/TVS 二极管 1500W 5.0V Unidirect AEC-Q101 Qualified
5
Vishay Semiconductor(威世)
ESD 抑制器/TVS 二极管 1500W 5.0V Unidirect AEC-Q101 Qualified
5
Vishay Semiconductor(威世)
5
Vishay Semiconductor(威世)

1N6373 - ON Semiconductor(安森美) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Through Hole
引脚数
2 Pin
封装
DO-201AD
电路数
1 Circuit
钳位电压
7.5 V
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