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2N7002LT1 数据手册

型号系列:

2N7002LT1 系列

分类:

MOS管

描述:

小信号N沟道SOT23封装场效应管

文档:

2N7002LT1G 数据手册 (5 页)

更新于: 2023/01/13 02:38:35 (UTC + 8)

2N7002LT1 MOS管数据手册

2N7002LT1G

数据手册 (5 页)

9.7

ON Semiconductor（安森美）

2N7002LT1

数据手册 (5 页)

2.7

ON Semiconductor（安森美）

2N7002LT1

数据手册 (4 页)

0.8

Motorola（摩托罗拉）

2N7002LT1H

数据手册 (4 页)

0.4

ON Semiconductor（安森美）

2N7002LT1 - ON Semiconductor（安森美）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

115 mA

封装

SOT-23-3

2N7002LT1 - ON Semiconductor（安森美）概述

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage | 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage | 20V 最大漏极电流Id Drain Current | 115mA/0.115A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance | 7.5Ω/Ohm @500mA,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage | 1-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation | 300mW/0.3W Description & Applications | Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 Features 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 Pb−Free Packages are Available 描述与应用 | Small Signal MOSFET 60 V, 115 mA, N−Channel SOT−23 特性 60 V，115 mA，N沟道SOT-23 无铅封装

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