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2SC4102 数据手册

型号系列:

2SC4102 系列

分类:

描述:

2SC4102 NPN三极管 120V 50mA 140MHz 180~560 500mV/0.5V SOT-323/SC-70/UMT3 marking/标记 TS 高电压晶体管放大器

文档:

2SC4102T106R 数据手册 (11 页)

更新于: 2023/01/13 03:13:39 (UTC + 8)

2SC4102 - 数据手册

2SC4102T106R

数据手册 (11 页)

3.6

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

2SC4102T106S

数据手册 (10 页)

2.1

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

2SC4102FRAT106R

数据手册 (10 页)

0.2

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

2SC4102

数据手册 (1 页)

0.9

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

2SC4102 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）技术参数、封装参数

类型

描述

封装

SOT-323

极性

NPN

击穿电压(集电极-发射极)

120 V

集电极最大允许电流

0.05A

最小电流放大倍数

180

2SC4102 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）概述

●集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBOCollector-Base Voltage(VCBO) | 120V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEOCollector-Emitter Voltage(VCEO) | 120V 集电极连续输出电流ICCollector Current(IC) | 50mA 截止频率fTTranstion Frequency(fT) | 140MHz 直流电流增益hFEDC Current Gain(hFE) | 180~390 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage | 500mV/0.5V 耗散功率PcPower Dissipation | 200mW/0.2W Description & Applications | High-voltage Amplifier Transistor High breakdown voltage. (BVCEO = 120V) Complements the 2SA1579 / 2SA1514K / 2SA1038S 描述与应用 | 高电压晶体管放大器高击穿电压（BVCEO= 120V）与2SA1579/2SA1514K/2SA1038S互补

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