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2SK2503 数据手册

型号系列:

2SK2503 系列

分类:

MOS管

描述:

4V驱动N沟道MOS FET硅N沟道MOS FET特性硅N沟道MOS FET低导通电阻开关速度快宽SOA（安全工作区）4V驱动驱动电路可以很简单并行使用容易

文档:

2SK2503TL 数据手册 (6 页)

更新于: 2023/09/27 08:30:51 (UTC + 8)

2SK2503 MOS管数据手册

2SK2503TL

数据手册 (6 页)

1.6

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

2SK2503TL - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

引脚数

3 Pin

额定电压(DC)

60.0 V

额定电流

5.00 A

封装

TO-252-3

2SK2503TL - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）概述

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 60V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 5A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 0.11Ω/Ohm @2.5A,10V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 1-2.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 20W Description & Applications| 4V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOS FET Features Silicon N-channel MOS FET Low On-resistance Fast switching speed Wide SOA (safe operating area) 4V drive Drive circuits can be simple Parallel use is easy 描述与应用| 4V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOS FET 特性硅N沟道MOS FET 低导通电阻开关速度快宽SOA（安全工作区） 4V驱动驱动电路可以很简单并行使用容易

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