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2SK3019 数据手册

型号系列:

2SK3019 系列

分类:

MOS管

描述:

2SK3019 N沟道MOSFET 30V 100mA/0.1A SOT-523/SC-75/EMT3 marking/标记 KN 低导通电阻/高速度开关/低电压驱动

文档:

2SK3019TL 数据手册 (5 页)

更新于: 2023/01/13 02:40:46 (UTC + 8)

2SK3019 MOS管数据手册

2SK3019TL

数据手册 (5 页)

5.2

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

2SK3019

数据手册 (4 页)

1.6

ROHM Semiconductor（罗姆半导体）

2SK3019 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）技术参数、封装参数

类型

描述

引脚数

3 Pin

封装

SOT-523

2SK3019 - ROHM Semiconductor（罗姆半导体）概述

●最大源漏极电压Vds Drain-Source Voltage| 30V \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±) Gate-Source Voltage| 20V 最大漏极电流Id Drain Current| 100mA/0.1A 源漏极导通电阻ΩRds DΩ/Ohmain-SouΩ/Ohmce On-State Ω/Ohmesistance| 5Ω/Ohm @10mA,4V 开启电压Vgs（th） Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-1.5V 耗散功率Pd Power Dissipation| 150mW/0.15W Description & Applications| 2.5V Drive Nch MOS FET Silicon N-channel MOSFET Features 2.5V Drive Nch MOS FET Low on-resistance Fast switching speed Low voltage drive (2.5V) makes this device ideal for portable equipment Drive circuits can be simple Parallel use is easy 描述与应用| 2.5V驱动N沟道MOS FET 硅N沟道MOSFET 特性 2.5V驱动N沟道MOS FET 低导通电阻开关速度快低电压驱动（2.5V）使该器件理想用于便携式设备驱动电路可以很简单并行使用容易

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