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BSH114 数据手册

型号系列:

BSH114 系列

分类:

-

描述:

N沟道增强型网络场效晶体管 N-channel enhancement mode field effect transistor

文档:

BSH114,215 数据手册 (15 页)

更新于: 2023/01/13 03:12:48 (UTC + 8)

BSH114 - 数据手册

#1

BSH114,215

数据手册 (15 页)

1.8

Nexperia（安世）

#2

BSH114,215

数据手册 (15 页)

0.7

NXP（恩智浦）

#3

BSH114

数据手册 (13 页)

0.7

NXP（恩智浦）

BSH114 - NXP（恩智浦）技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Surface Mount

封装

TO-236

极性

N-CH

漏源极电压(Vds)

100 V

连续漏极电流(Ids)

0.85A

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