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BSP296 数据手册

型号系列:
BSP296 系列
分类:
MOS管
描述:
INFINEON  BSP296  晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 800 mohm, 10 V, 1.4 V
更新于: 2023/01/13 02:32:28 (UTC + 8)

BSP296 MOS管 数据手册

#1
BSP296NH6327XTSA1

BSP296NH6327XTSA1

数据手册 (10 )
2.9
Infineon(英飞凌)
#2
BSP296L6327

BSP296L6327

数据手册 (9 )
2.5
Infineon(英飞凌)
#3
BSP296N H6327

BSP296N H6327

数据手册 (9 )
1.8
Infineon(英飞凌)
#4
BSP296NH6433XTMA1

BSP296NH6433XTMA1

数据手册 (9 )
0.8
Infineon(英飞凌)

BSP296 数据手册 MOS管

9
Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
N沟道 100V 1.1A
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
8
Infineon(英飞凌)
INFINEON  BSP296  晶体管, MOSFET, N沟道, 1 A, 100 V, 800 mohm, 10 V, 1.4 V
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Infineon(英飞凌)
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Infineon(英飞凌)
8
Infineon(英飞凌)
8
Infineon(英飞凌)

BSP296 - Infineon(英飞凌) 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Surface Mount
引脚数
4 Pin
封装
SOT-223
针脚数
4 Position
漏源极电阻
800 mΩ
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BSP296 - Infineon(英飞凌) 概述

最大源漏极电压VdsDrain-Source Voltage| \---|--- 最大栅源极电压Vgs(±)Gate-Source Voltage| 14V 最大漏极电流IdDrain Current| -1.1A 源漏极导通电阻RdsDrain-Source On-State Resistance| 0.43Ω @-1.6A,-10V 开启电压Vgs(th)Gate-Source Threshold Voltage| 0.8-1.8V 耗散功率PdPower Dissipation| 1.79W Description & Applications| • N-Channel • Enhancement mode • Logic Level • dv/dt rated 描述与应用| •N沟道 •增强模式 •逻辑电平 •dv / dt的额定
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