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1N1190R
7.473
1N1190R 数据手册 (3 页)
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1N1190R 技术参数、封装参数

类型
描述
安装方式
Chassis
引脚数
2 Pin
封装
DO-5
正向电压
1.2V @35A
正向电流
35 A
正向电压(Max)
1.2 V

1N1190R 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
产品生命周期
Unknown
包装方式
Bulk
工作温度
140 ℃

1N1190R 数据手册

GeneSiC Semiconductor
3 页 / 0.74 MByte
GeneSiC Semiconductor
3 页 / 0.69 MByte
GeneSiC Semiconductor
1 页 / 0.01 MByte

1N1190 数据手册

GeneSiC Semiconductor
整流器 600V 35A Std. Recovery
Microsemi(美高森美)
广颖电整流器 Silicon Power Rectifier
VISHAY(威世)
International Rectifier(国际整流器)
GeneSiC Semiconductor
整流器 600V 35A REV Leads Std. Recovery
GeneSiC Semiconductor
整流器 600V 40A REV Leads Std. Recovery
GeneSiC Semiconductor
整流器 600V 40A Std. Recovery
Solid State
SOLID STATE  1N1190A  硅整流二极管, DO5, 35A
VISHAY(威世)
1N1190 系列 600 V 40 A 功率 硅 整流器 二极管 - DO-5
Microsemi(美高森美)
高可靠性硅电力整流器 HIGH RELIABILITY SILICON POWER RECTIFIER
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