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Datasheet 搜索 > Microchip(微芯) > 1N1201R Datasheet 文档
1N1201R
25.246

1N1201R 技术参数、封装参数

类型
描述
封装
DO-203AA
工作温度(Max)
200 ℃
工作温度(Min)
-65 ℃

1N1201R 外形尺寸、物理参数、其它

类型
描述
工作温度
-65℃ ~ 200℃

1N1201R 数据手册

Microchip(微芯)
2 页 / 0.12 MByte

1N1201 数据手册

Microsemi(美高森美)
广颖电整流器 Silicon Power Rectifier
Microsemi(美高森美)
广颖电整流器 Silicon Power Rectifier
Microsemi(美高森美)
Microsemi(美高森美)
Vishay Semiconductor(威世)
Microsemi(美高森美)
广颖电整流器 SILICON POWER RECTIFIER
Vishay Semiconductor(威世)
中功率硅整流二极管,一个12 Medium Power Silicon Rectifier Diodes, 12 A
Microsemi(美高森美)
广颖电整流器 Silicon Power Rectifier
Microchip(微芯)
整流器 Rectifier
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