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1N4756A-T 数据手册 - Vishay Semiconductor（威世）

制造商:

Vishay Semiconductor（威世）

分类:

齐纳二极管

封装:

DO-41

Pictures:

3D模型

符号图

焊盘图

引脚图

产品图

PDF文件:

1N4756A-T 数据手册 (3 页)

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1N4756A-T 技术参数、封装参数

类型

描述

安装方式

Through Hole

额定电压(DC)

47.0 V

容差

±5 %

封装

DO-41

额定功率

1.00 W

输出电流

≤4.70 A

正向电压

1.2V @200mA

功耗

1 W

测试电流

5.5 mA

稳压值

47 V

正向电压(Max)

1.2V @200mA

额定功率(Max)

1 W

工作温度(Max)

175 ℃

工作温度(Min)

65 ℃

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1N4756A-T 外形尺寸、物理参数、其它

类型

描述

产品生命周期

Not Recommended for New Designs

包装方式

Tape & Reel (TR)

长度

4.7 mm

宽度

2.71 mm

高度

2.71 mm

工作温度

-65℃ ~ 175℃

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1N4756A-T 符合标准

1N4756A-T 数据手册

Vishay Semiconductor（威世）

3 页 / 0.1 MByte

1N4756A-T 其他数据使用手册

Vishay Semiconductor（威世）

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